ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
TIP31C, Транзистор BJT NPN 3А 100В 2Вт [TO-220] (=КТ817Г) - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Inchange Semiconductor
TIP31C, Транзистор BJT NPN 3А 100В 2Вт [TO-220] (=КТ817Г)
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
TIP31C, Транзистор BJT NPN 3А 100В 2Вт [TO-220] (=КТ817Г)
Последняя цена
44 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Inchange Semiconductor
Артикул
TIP31C
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1795371
Технические параметры
Вес, г
2.5
Структура
npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
3
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
10
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
40
Корпус
to-220
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
3
Техническая документация
ISC new catalogue , pdf
, 2863 КБ
TIP31C , pdf
, 163 КБ