ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
PEMD3,115, Транзистор, NPN/PNP, [SOT666] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
PEMD3,115, Транзистор, NPN/PNP, [SOT666]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
PEMD3,115, Транзистор, NPN/PNP, [SOT666]
Последняя цена
66 руб.
Сравнить
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения TRNS DOUBL RET TAPE7
Информация
Производитель
Nexperia
Артикул
PEMD3,115
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1786498
Технические параметры
Вес, г
0.04
Структура
npn/pnp с 2 резисторами
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
30
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
0.2
Корпус
SOT-666
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
180
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1681 КБ
PEMD3_PIMD3_PUMD3 , pdf
, 1689 КБ
Datasheet , pdf
, 1607 КБ
Datasheet PEMD3,115 , pdf
, 66 КБ