IXFN420N10T, Транзистор, GigaMOS HiperFET, N-канал, 100В, 420А, 2.3мОм [SOT-227B (minibloc)], Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 4690 руб.

Сравнить

Описание

N-канальный силовой МОП-транзистор, серия IXYS HiperFET ™ GigaMOS ™

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFN420N10T

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1774058

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

Максимальный непрерывный ток стока

420 A

Максимальное рассеяние мощности

1,07 кВт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

25.07мм

Высота

9.6мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

2.3 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Прямое напряжение диода

1.2V

Длина

38.23мм

Серия

GigaMOS Trench HiperFET

Типичное время задержки выключения

115 ns

Тип корпуса

SOT-227

Размеры

38.23 x 25.07 x 9.6мм

Типичное время задержки включения

47 ns

Производитель

IXYS

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

670 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

4390 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Прямая активная межэлектродная проводимость

185s

Техническая документация

IXFN420N10T , pdf , 171 КБ
Datasheet IXFN420N10T , pdf , 178 КБ

IXFN420N10T, Транзистор, GigaMOS HiperFET, N-канал, 100В, 420А, 2.3мОм [SOT-227B (minibloc)] - характеристики, поставщики

Последняя цена 4690 руб.

Техническая документация