IRFS4010TRL7PP, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 180 руб.

Сравнить

Описание

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор 100 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевыми транзисторами HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах. И форм-факторы, которые могут решить практически любую проблему компоновки платы и теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1773209

Технические параметры

Вес, г

2.34

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Package Type

D2PAK (TO-263)

Высота

4.83mm

Length

10.67мм

Brand

Infineon

Pin Count

7 + Tab

Typical Gate Charge @ Vgs

150 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Серия

HEXFET

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

190 A

Maximum Power Dissipation

380 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

9.65mm

Maximum Drain Source Resistance

4 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Channel Mode

Поднятие

Channel Type

Forward Diode Voltage

1.3V

Техническая документация

IRFS4010-7PPBF Datasheet , pdf , 314 КБ

IRFS4010TRL7PP - характеристики, поставщики

Последняя цена 180 руб.

Техническая документация