ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRF7420TRPBF,Pкан -12В -11.5А SO8 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRF7420TRPBF,Pкан -12В -11.5А SO8
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRF7420TRPBF,Pкан -12В -11.5А SO8
Последняя цена
86 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Infineon Technologies
P/N
IRF7420TRPBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1772768
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
11.5 A
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4мм
Высота
1.5мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
26 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
12 В перем. тока/пост. тока
Номер канала
Поднятие
Тип канала
A, P
Длина
5мм
Серия
HEXFET
Типичное время задержки выключения
291 нс
Тип корпуса
SOIC
Размеры
5 x 4 x 1.5мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
8,8 нс
Производитель
Infineon
Maximum Gate Threshold Voltage
0.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
38 nC @ 4.5 V
Типичная входная емкость при Vds
3529 пФ при -10 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +8 В
Техническая документация
Datasheet IRF7420TRPBF , pdf
, 154 КБ