HGTG20N60A4D, Транзистор IGBT 600В 70А 290Вт встроенный диод [TO-247], ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Сравнить

Тип упаковки-Tube (туба); Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 290 Вт
Корпус TO-247-3

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

HGTG20N60A4D

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1771260

Вес, г

7.5

Максимальное напряжение КЭ ,В

600

Напряжение насыщения при номинальном токе, В

2.7

Корпус

to-247

Управляющее напряжение,В

5.5

Технология/семейство

SMPS

Наличие встроенного диода

да

Максимальный ток КЭ при 25°C, A

Максимальная рассеиваемая мощность, Вт

290

Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс

Рабочая температура (Tj), °C

-55…+150

Импульсный ток коллектора (Icm), А

280

Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс

Структура

igbt+диод

HGTG20N60A4D, Транзистор IGBT 600В 70А 290Вт встроенный диод [TO-247] - характеристики, поставщики