FQN1N50CTA, Транзистор MOSFET N-CH 500В 380мА [TO-92 Formed Leads], ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 61 руб.

Сравнить

Описание

N-канал 500 В 380 мА (Tc) 890 мВт (Ta), 2,08 Вт (Tc) сквозное отверстие TO-92-3

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FQN1N50CTA

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1766807

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.3

Transistor Configuration

Одинарный

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Размеры

5.2 x 4.19 x 5.33мм

Высота

5.33мм

Длина

5.2мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Серия

QFET

Ширина

4.19мм

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

2,08 Вт

Число контактов

Тип корпуса

TO-92

Производитель

ON Semiconductor

Материал транзистора

Кремний

Максимальное напряжение сток-исток

500 V

Тип канала

Максимальный непрерывный ток стока

380 мА

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

6 Ω

Категория

Мощный МОП-транзистор

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

150 пФ при -25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

Типичное время задержки выключения

20 ns

Типичное время задержки включения

10 нс

Типичный заряд затвора при Vgs

4.9 nC @ 10 V

Техническая документация

Datasheet FQN1N50C , pdf , 1274 КБ
Datasheet FQN1N50CTA , pdf , 1430 КБ

FQN1N50CTA, Транзистор MOSFET N-CH 500В 380мА [TO-92 Formed Leads] - характеристики, поставщики

Последняя цена 61 руб.

Техническая документация