ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BCW67CE6327HTSA1, Транзистор PNP 32В 0.8А [SOT-23-3] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
BCW67CE6327HTSA1, Транзистор PNP 32В 0.8А [SOT-23-3]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BCW67CE6327HTSA1, Транзистор PNP 32В 0.8А [SOT-23-3]
Последняя цена
6 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы PNP общего назначения, Infineon
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
BCW67CE6327HTSA1
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1758684
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.05
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
45 В
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
PNP
Размеры
2.9 x 1.3 x 0.9мм
Высота
0.9мм
Длина
2.9мм
Ширина
1.3мм
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.7 V
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
330 мВт
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
32 В
Максимальный пост. ток коллектора
800 мА
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
200 МГц
Число контактов
3
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
2 V
Производитель
Infineon
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
80
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1681 КБ
BCW67 , pdf
, 529 КБ
Datasheet BCW67CE6327HTSA1 , pdf
, 79 КБ