ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BC817W,115, Транзистор NPN 45В 500мА [SOT-323] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
BC817W,115, Транзистор NPN 45В 500мА [SOT-323]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BC817W,115, Транзистор NPN 45В 500мА [SOT-323]
Последняя цена
9 руб.
Сравнить
Описание
Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP TAPE-7
Информация
Производитель
Nexperia
Артикул
BC817W,115
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1758535
Технические параметры
Вес, г
0.1
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Transistor Type
NPN
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0,7 В
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Number of Elements per Chip
1
Length
2.2мм
Maximum Collector Base Voltage
50 V
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
Nexperia
Maximum Collector Emitter Voltage
45 V
Package Type
UMT
Maximum Power Dissipation
200 mW
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Width
1.35мм
Maximum DC Collector Current
500 mA
Pin Count
3
Dimensions
1 x 2.2 x 1.35мм
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Minimum DC Current Gain
40
Высота
1мм
Техническая документация
BAS40 series; 1PSxxSB4x series General-purpose Schottky diodes Datasheet , pdf
, 218 КБ
Datasheet , pdf
, 275 КБ
BC817W_SER-1598709 , pdf
, 277 КБ
Datasheet , pdf
, 237 КБ