ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BC807-25WT1G, Биполярный транзистор, PNP, -45 В, 100 МГц, 460 мВт, -500 мА, 40 hFE - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
BC807-25WT1G, Биполярный транзистор, PNP, -45 В, 100 МГц, 460 мВт, -50…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BC807-25WT1G, Биполярный транзистор, PNP, -45 В, 100 МГц, 460 мВт, -500 мА, 40 hFE
Последняя цена
11 руб.
Сравнить
Описание
Биполярные транзисторы - BJT SS SC70 GP XSTR PNP 45V
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
BC807-25WT1G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1758515
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
-45В
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-323
Рассеиваемая Мощность
460мВт
Полярность Транзистора
pnp
DC Ток Коллектора
-500мА
DC Усиление Тока hFE
40hFE
Частота Перехода ft
100мгц
Вес, г
0.05
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 73 КБ
Datasheet , pdf
, 140 КБ
Datasheet BC807-25WT1G , pdf
, 138 КБ
Datasheet , pdf
, 157 КБ