ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BC637G, Транзистор NPN 60В 0.5А 1Вт [TO-92] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
BC637G, Транзистор NPN 60В 0.5А 1Вт [TO-92]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BC637G, Транзистор NPN 60В 0.5А 1Вт [TO-92]
Последняя цена
9 руб.
Сравнить
Описание
Корпус TO-92-3, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 625 мВт, Напряжение КЭ максимальное 60 В, Ток коллектора 1 А, Коэффициент усиления по току, min 40, Коэффициент усиления по току, max 160
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
BC637G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1758506
Технические параметры
Вес, г
0.3
Структура
npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
40…160
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
0.83
Корпус
to-92
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
100
Техническая документация
BC637 datasheet , pdf
, 64 КБ