ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2SB1201S-TL-E, Транзистор PNP 50В 2A [TO-252-3] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
2SB1201S-TL-E, Транзистор PNP 50В 2A [TO-252-3]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2SB1201S-TL-E, Транзистор PNP 50В 2A [TO-252-3]
Последняя цена
95 руб.
Сравнить
Описание
Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 2A 50V
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
2SB1201S-TL-E
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1749327
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
4вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер
-50В
Стиль Корпуса Транзистора
TO-252
Рассеиваемая Мощность
15Вт
Полярность Транзистора
pnp
DC Ток Коллектора
-2А
DC Усиление Тока hFE
140hFE
Частота Перехода ft
150МГц
Вес, г
0.4
Техническая документация
EN2112-D-1803660 , pdf
, 391 КБ
Datasheet , pdf
, 383 КБ