ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2SA1186, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-10А, Vceo=-150В, Vcbo=-150В, Pd=100Вт , hFE= 50…80 [TO-3PN] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Inchange Semiconductor
2SA1186, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-10А, Vceo=-150В, Vcbo=-150В,…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2SA1186, Транзистор биполярный, PNP, Ic=-10А, Vceo=-150В, Vcbo=-150В, Pd=100Вт , hFE= 50…80 [TO-3PN]
Последняя цена
120 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Inchange Semiconductor
Артикул
2SA1186
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1749251
Технические параметры
Вес, г
6.5
Структура
pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
150
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
150
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
10
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
50…80
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
100
Корпус
TO-3PN
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
60
Техническая документация
ISC new catalogue , pdf
, 2863 КБ
ISCSEMI 2SA... Bipolar Transistots , pdf
, 579 КБ