ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SSM3J375F,LF - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Toshiba
SSM3J375F,LF
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SSM3J375F,LF
Последняя цена
66 руб.
Сравнить
Описание
Канал P 20V 2A (Ta) 600 мВт (Ta) S-Mini для поверхностного монтажа
Информация
Производитель
Toshiba
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1745869
Технические параметры
Series
U-MOSVI ->
Base Product Number
DF3A3.3 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
ECCN
EAR99
FET Type
P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
4.6nC @ 4.5V
HTSUS
8541.21.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
270pF @ 10V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150В°C
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power Dissipation (Max)
600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 1A, 4.5V
RoHS Status
RoHS Compliant
Supplier Device Package
S-Mini
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
+6V, -8V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Техническая документация
Datasheet SSM3J375F,LF , pdf
, 285 КБ