IXTA08N100D2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 0,8А; 60Вт; TO263, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 410 руб.

Сравнить

Описание

N-канал 1000 В 800 мА (Tc) 60 Вт (Tc) для поверхностного монтажа TO-263 (IXTA)

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXTA08N100D2

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

1745517

Технические параметры

Вес, г

1.49

Mounting Type

Surface Mount

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-263 (IXTA)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

800mA (Tc)

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

325pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

60W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21Ohm @ 400mA, 0V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14.6nC @ 5V

California Prop 65

Warning Information

FET Feature

Depletion Mode

Техническая документация

Datasheet , pdf , 279 КБ
Datasheet , pdf , 271 КБ

IXTA08N100D2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 0,8А; 60Вт; TO263 - характеристики, поставщики

Последняя цена 410 руб.

Техническая документация