ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
ZVN3320FTA, MOSFET транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
ZVN3320FTA, MOSFET транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
ZVN3320FTA, MOSFET транзистор
Последняя цена
45 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный полевой МОП-транзистор, от 100 до 950 В, Diodes Inc.
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Артикул
ZVN3320FTA
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
1745400
Технические параметры
Вес, г
0.1
Тип корпуса
SOT-23
Ширина
1.4мм
Число контактов
3
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Transistor Configuration
Одинарный
Длина
3.05мм
Высота
1мм
Размеры
3.05 x 1.4 x 1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Производитель
DiodesZetex
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Количество элементов на ИС
1
Максимальный непрерывный ток стока
60 mA
Максимальное рассеяние мощности
330 мВт
Максимальное сопротивление сток-исток
25 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
200 В
Материал транзистора
SI
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
45 пФ при 25 В
Тип канала
N
Типичное время задержки выключения
6 нс
Типичное время задержки включения
5 нс
Категория
Малый сигнал
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Техническая документация
Datasheet ZVN3320FTA , pdf
, 51 КБ