TK100A06N1,S4X(S, MOSFET транзистор, Toshiba - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 170 руб.

Сравнить

Описание

МОП-транзисторы, Toshiba

Информация

Производитель

Toshiba

Артикул

TK100A06N1,S4X(S

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

1744592

Технические параметры

Вес, г

1.55

Тип корпуса

TO-220SIS

Ширина

4.5мм

Число контактов

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Серия

Длина

10мм

Высота

15мм

Размеры

10 x 4.5 x 15мм

Производитель

Toshiba

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

100 А

Максимальное рассеяние мощности

45 Вт

Максимальное сопротивление сток-исток

2.2 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Материал транзистора

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

10500 пФ при 30 В

Тип канала

Типичное время задержки выключения

180 нс

Типичное время задержки включения

110 нс

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

140 нКл при 10 В

Maximum Gate Threshold Voltage

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1681 КБ
Datasheet , pdf , 231 КБ

TK100A06N1,S4X(S, MOSFET транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 170 руб.

Техническая документация