ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
DMG9933USD-13 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
DMG9933USD-13
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
DMG9933USD-13
Последняя цена
48 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзистор N-Ch Dual МОП-транзистор 20V VDSS 12V VGSS
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1743808
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
P-Channel
Вес, г
0.074
Минимальная рабочая температура
55 C
Id - непрерывный ток утечки
4.6 A
Pd - рассеивание мощности
1.15 W
Qg - заряд затвора
6.5 nC, 6.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
55 mOhms, 55 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
20 V
Vgs - напряжение затвор-исток
12 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.1 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
10.29 ns, 10.29 ns
Время спада
22.19 ns, 22.19 ns
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
2 Channel
Конфигурация
Dual
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
2500
Серия
DMG9933
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
2 P-Channel
Типичное время задержки выключения
46.52 ns, 46.52 ns
Типичное время задержки при включении
12.45 ns, 12.45 ns
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка / блок
SO-8
Продукт
MOSFET Small Signal
Техническая документация
Datasheet DMG9933USD-13 , pdf
, 236 КБ
Datasheet , pdf
, 235 КБ
