BSC160N10NS3GATMA1, Транзистор N-MOSFET 100В 8.8A/42A [PG-TDSON-8-1], Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 230 руб.

Сравнить

Описание

Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, 100 В и более

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BSC160N10NS3GATMA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

1743768

Технические параметры

Вес, г

Тип корпуса

TDSON

Ширина

6.35мм

Число контактов

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Серия

OptiMOS 3

Длина

5.35мм

Высота

1.1мм

Размеры

5.35 x 6.35 x 1.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Производитель

Infineon

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

42 А

Максимальное рассеяние мощности

60 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

33 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

1300 пФ при 50 В

Тип канала

Типичное время задержки выключения

22 ns

Типичное время задержки включения

13 ns

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

19 nC @ 10 V

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 903 КБ
Infineon-BSC160N10NS3-DS-v02_04-en-1731167 , pdf , 544 КБ

BSC160N10NS3GATMA1, Транзистор N-MOSFET 100В 8.8A/42A [PG-TDSON-8-1] - характеристики, поставщики

Последняя цена 230 руб.

Техническая документация