IRF9333TRPBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 71 руб.

Сравнить

Описание

Корпус SO-8, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 9.2 А, Сопротивление открытого канала (мин) 19.4 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1742784

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.24

Максимальный непрерывный ток стока

9,2 A

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

4мм

Высота

1.5мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

32 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

30 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

A, P

Длина

5мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

55 нс

Тип корпуса

SOIC

Размеры

5 x 4 x 1.5мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

16 ns

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

2.4V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.3V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

14 nC @ 4.5 V, 25 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

1110 pF @ 25 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

irf9333pbf , pdf , 313 КБ

IRF9333TRPBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 71 руб.

Техническая документация