ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
30A02CH-TL-E - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
30A02CH-TL-E
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
30A02CH-TL-E
Последняя цена
61 руб.
Сравнить
Описание
Биполярный (BJT) транзистор PNP 30V 700mA 520MHz 700mW Surface Mount 3-CPH
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1741657
Технические параметры
Base Product Number
30A02 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
700mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 10mA, 2V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
520MHz
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
SC-96
Power - Max
700mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
3-CPH
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
220mV @ 10mA, 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 578 КБ