TK4A60DA, Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 3,5А, 35Вт, SC67, Toshiba - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 150 руб.

Сравнить

Описание

МОП-транзистор N-ch 600V 3.5A TO-220SIS

Информация

Производитель

Toshiba

P/N

TK4A60DA(STA4,Q,M)

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

1741620

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

Ширина

4.5 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

TK4A60DA

Торговая марка

Toshiba

Длина

10 mm

Высота

15 mm

Id - непрерывный ток утечки

3.5 A

Pd - рассеивание мощности

35 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

0.6 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.7 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

4.4 V

Канальный режим

Enhancement

Qg - заряд затвора

11 nC

Время нарастания

18 ns

Время спада

8 ns

Коммерческое обозначение

MOSVII

Типичное время задержки выключения

55 ns

Типичное время задержки при включении

40 ns

Техническая документация

Datasheet TK4A60DA(STA4.Q.M) , pdf , 258 КБ

TK4A60DA, Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 3,5А, 35Вт, SC67 - характеристики, поставщики

Последняя цена 150 руб.

Техническая документация