IPU95R1K2P7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 950В, 3,7А, 52Вт, IPAK, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 300 руб.

Сравнить

Описание

МОП-транзистор 950 V CoolMOS P7

Информация

Производитель

Infineon Technologies

P/N

IPU95R1K2P7AKMA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

1741517

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1500

Серия

Торговая марка

Infineon Technologies

Id - непрерывный ток утечки

6 A

Pd - рассеивание мощности

52 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

950 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

IPAK-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.2 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.5 V

Канальный режим

Enhancement

Qg - заряд затвора

15 nC

Время нарастания

10 ns

Время спада

12 ns

Коммерческое обозначение

CoolMOS

Типичное время задержки выключения

36 ns

Типичное время задержки при включении

7 ns

Другие названия товара №

IPU95R1K2P7

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1341 КБ

IPU95R1K2P7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 950В, 3,7А, 52Вт, IPAK - характеристики, поставщики

Последняя цена 300 руб.

Техническая документация