FDB14N30TM, Электроэлемент, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 230 руб.

Сравнить

Описание

МОП-транзистор 300V N-Ch МОП-транзистор

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FDB14N30TM

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1741247

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

1.312

Ширина

9.65 mm

Высота

4.83 mm

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

14 A

Pd - рассеивание мощности

140 W

Qg - заряд затвора

25 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

290 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

300 V

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

105 ns

Время спада

75 ns

Длина

10.67 mm

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

10.5 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

800

Серия

FDB14N30

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

30 ns

Типичное время задержки при включении

20 ns

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка / блок

TO-263-3

Техническая документация

Datasheet FDB14N30TM , pdf , 1222 КБ

FDB14N30TM, Электроэлемент - характеристики, поставщики

Последняя цена 230 руб.

Техническая документация