ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
PSMN039-100YS,115 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
PSMN039-100YS,115
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
PSMN039-100YS,115
Последняя цена
150 руб.
Сравнить
Описание
N-канал, 100 В, 28,1 А (Tc), 74 Вт (Tc), поверхностный монтаж, LFPAK56, Power-SO8
Информация
Производитель
Nexperia
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1741245
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+175 °C
Вес, г
0.5
Максимальный непрерывный ток стока
28 А
Максимальное рассеяние мощности
74 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4.1мм
Высота
1.1мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
71 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
5мм
Типичное время задержки выключения
22 ns
Тип корпуса
SOT-669
Размеры
5 x 4.1 x 1.1мм
Материал транзистора
SI
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
11 ns
Производитель
Nexperia
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Число контактов
4
Типичный заряд затвора при Vgs
23 nC @ 10 V
Типичная входная емкость при Vds
1847 пФ при 50 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Техническая документация
Datasheet PSMN039-100YS,115 , pdf
, 802 КБ
Datasheet PSMN039-100YS,115 , pdf
, 237 КБ