ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STF9NM60N, Транзистор MOSFET N-CH 600В 6.5A TO220FP - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STF9NM60N, Транзистор MOSFET N-CH 600В 6.5A TO220FP
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STF9NM60N, Транзистор MOSFET N-CH 600В 6.5A TO220FP
Последняя цена
590 руб.
Сравнить
Описание
N-Channel MDmesh ™, 600 В / 650 В, STMicroelectronics
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STF9NM60N
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1740909
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
to-220fp
Рассеиваемая Мощность
25Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
600в
Непрерывный Ток Стока
6.5А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.63Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
3В
Transistor Mounting
Through Hole
Вес, г
190
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 909 КБ