IRFH5250DTRPBF, MOSFET, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 197 руб.

Сравнить

Описание

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор от 12 В до 25 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infineon HEXFET® включает в себя N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и проблема теплового проектирования. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRFH5250DTRPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1740748

Технические параметры

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

PQFN

Высота

0.85mm

Length

6мм

Brand

Infineon

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

83 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Серия

HEXFET

Maximum Gate Threshold Voltage

2.35V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.35V

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

100 А

Maximum Power Dissipation

156 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

5мм

Maximum Drain Source Resistance

2.2 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

25 V

Channel Mode

Поднятие

Channel Type

Forward Diode Voltage

IRFH5250DTRPBF, MOSFET - характеристики, поставщики

Последняя цена 197 руб.