2N7002H-7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,21А, 0,37Вт, SOT23, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 9 руб.

Сравнить

Описание

МОП-транзистор 60V N-Ch Enh FET 7.5Ohm 5Vgs 210mA

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

P/N

2N7002H-7

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

1740042

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.1

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

2N7002H

Торговая марка

Diodes Incorporated

Id - непрерывный ток утечки

210 mA

Pd - рассеивание мощности

510 mW

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

SOT-23-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

7.5 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Канальный режим

Enhancement

Qg - заряд затвора

352 pC

Время нарастания

2.9 ns

Время спада

4.7 ns

Типичное время задержки выключения

8.4 ns

Типичное время задержки при включении

3.7 ns

Техническая документация

Datasheet 2N7002H-7 , pdf , 474 КБ
Datasheet 2N7002H-7 , pdf , 431 КБ
Datasheet , pdf , 439 КБ

2N7002H-7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,21А, 0,37Вт, SOT23 - характеристики, поставщики

Последняя цена 9 руб.

Техническая документация