ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FGAF20N60SMD, IGBT, 40 A 600 V, 3-Pin TO-3PF - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FGAF20N60SMD, IGBT, 40 A 600 V, 3-Pin TO-3PF
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
FGAF20N60SMD, IGBT, 40 A 600 V, 3-Pin TO-3PF
Последняя цена
320 руб.
Сравнить
Описание
Дискретные IGBT, Fairchild Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
FGAF20N60SMD
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1739835
Технические параметры
Производитель
ON Semiconductor
Тип корпуса
TO-3PF
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Transistor Configuration
Одинарный
Длина
15.7мм
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
40 A
Максимальное рассеяние мощности
75 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
26.7мм
Число контактов
3
Размеры
15.7 x 3.2 x 26.7мм
Скорость переключения
1МГц
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип канала
N
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Ширина
3.2мм
Техническая документация
Datasheet FGAF20N60SMD , pdf
, 1059 КБ
Datasheet FGAF20N60SMD , pdf
, 1058 КБ