IPAN70R600P7S, Транзистор N-MOSFET, полевой, 700В, 5А, 24,9Вт, TO220FP, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 230 руб.

Сравнить

Описание

МОП-транзистор CONSUMER

Информация

Производитель

Infineon Technologies

P/N

IPAN70R600P7SXKSA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

1739748

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

2.19

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

500

Серия

CoolMOS P7

Торговая марка

Infineon Technologies

Id - непрерывный ток утечки

8.5 A

Pd - рассеивание мощности

24.9 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

700 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

40 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

490 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.5 V

Канальный режим

Enhancement

Qg - заряд затвора

10.5 nC

Время нарастания

5.5 ns

Время спада

23 ns

Коммерческое обозначение

CoolMOS

Типичное время задержки выключения

63 ns

Типичное время задержки при включении

14 ns

Другие названия товара №

IPAN70R600P7S SP001682068

Техническая документация

Datasheet , pdf , 926 КБ
Datasheet , pdf , 1088 КБ

IPAN70R600P7S, Транзистор N-MOSFET, полевой, 700В, 5А, 24,9Вт, TO220FP - характеристики, поставщики

Последняя цена 230 руб.

Техническая документация