RFD12N06RLESM9A, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 8А, 49Вт, DPAK,TO252AA, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 116 руб.

Сравнить

Описание

Полевой МОП-транзистор UltraFET®, Fairchild Semiconductor
МОП-транзистор UItraFET® Trench сочетают в себе характеристики, обеспечивающие эталонную эффективность в приложениях преобразования энергии. Устройство способно выдерживать высокую энергию в лавинном режиме, а диод демонстрирует очень низкое время обратного восстановления и накопленный заряд. Оптимизирован для эффективности на высоких частотах, минимальном RDS (включено), низком ESR и низком общем заряде затвора и затвора Миллера.
Применения в высокочастотных преобразователях постоянного тока в постоянный, импульсных регуляторах, драйверах двигателей, переключателях низковольтной шины и мощности управление.

Информация

Производитель

ON Semiconductor

P/N

RFD12N06RLESM9A

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

1739522

Технические параметры

Вес, г

1.5

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

6.73mm

Brand

ON Semiconductor

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

2.39мм

Maximum Drain Source Voltage

60 В

Channel Type

Transistor Configuration

Одиночный

Package Type

DPAK (TO-252)

Width

6.22mm

Pin Count

Minimum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

18 A

Maximum Power Dissipation

49 W

Series

UltraFET

Maximum Drain Source Resistance

75 mΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

12 nC @ 10 V

Transistor Material

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage

-16 V, +16 V

Техническая документация

Datasheet RFD12N06RLESM9A , pdf , 865 КБ

RFD12N06RLESM9A, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 8А, 49Вт, DPAK,TO252AA - характеристики, поставщики

Последняя цена 116 руб.

Техническая документация