CSD13302W, Texas Instruments - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 82 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор CSD13302W 12 V N-Channel NexFET Power МОП-транзистор 4-DSBGA

Информация

Производитель

Texas Instruments

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1738837

Технические параметры

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.2

Ширина

1 mm

Высота

0.62 mm

Series

NexFETв„ў ->

Base Product Number

CSD13302 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

1.6A (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.8nC @ 4.5V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

862pF @ 6V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

4-UFBGA, DSBGA

Power Dissipation (Max)

1.8W (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17.1mOhm @ 1A, 4.5V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

4-DSBGA

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±10V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.3V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

1.6 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

17.1 mOhms

Вид монтажа

SMD/SMT

Длина

1 mm

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

NexFET

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

CSD13302W

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Торговая марка

Texas Instruments

Упаковка / блок

DSBGA-4

Manufacturer Product Page

http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp

Техническая документация

Datasheet CSD13302W , pdf , 518 КБ

CSD13302W - характеристики, поставщики

Последняя цена 82 руб.

Техническая документация