ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BSS138PS,115 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
BSS138PS,115
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
BSS138PS,115
Последняя цена
28 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Сборки MOSFET транзисторов
корпус: 6-TSSOP, инфо: Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 0.32 А
Тип упаковки-Tape and Reel (лента в катушке; Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 0.3
Корпус TSSOP6
Информация
Производитель
Nexperia
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1738134
Технические параметры
Вес, г
0.04
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
SOT-363 (SC-88)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
1.35мм
Transistor Material
Si
Length
2.2мм
Конфигурация транзистора
Изолированный
Brand
Nexperia
Series
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOSв„ў ->
Pin Count
6
Typical Gate Charge @ Vgs
0.72 nC @ 4.5 V
Тип канала
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Base Product Number
BSS138 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
320mA
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
ECCN
EAR99
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.8nC @ 4.5V
HTSUS
8541.21.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
50pF @ 10V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.6Ohm @ 300mA, 10V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
6-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250ВµA
FET Feature
Logic Level Gate
Power - Max
420mW
Длина
2.2мм
Тип корпуса
SOT-363 (SC-88)
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.9V
Число контактов
6
Типичный заряд затвора при Vgs
0,72 нКл при 4,5 В
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
320mA
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
420mW
Rds On - Drain-Source Resistance
1.6О© @ 300mA,10V
Transistor Polarity
2 N Channel(Double)
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
60V
Vgs - Gate-Source Voltage
1.5V @ 250uA
Number of Elements per Chip
2
Maximum Continuous Drain Current
320 mA
Maximum Power Dissipation
320 mW
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
1.35mm
Height
1мм
Maximum Drain Source Resistance
1.6 Ω
Maximum Drain Source Voltage
60 В
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 347 КБ
Datasheet , pdf
, 916 КБ
