ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
TN5325N8-G - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Microchip Technology
TN5325N8-G
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
TN5325N8-G
Последняя цена
120 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор 250V 7Ohm
Информация
Производитель
Microchip Technology
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1734546
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
0.0528
Ширина
2.6 mm
Высота
1.6 mm
Минимальная рабочая температура
55 C
Id - непрерывный ток утечки
316 mA
Pd - рассеивание мощности
1.6 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
7 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
250 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
600 mV
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
15 ns
Время спада
15 ns
Длина
4.6 mm
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
2000
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
25 ns
Типичное время задержки при включении
20 ns
Торговая марка
Microchip Technology
Упаковка / блок
SOT-89-3
Продукт
MOSFET Small Signal
Тип
FET
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 544 КБ