IRFR13N20DTRPBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 49 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 2000, корпус: TO252, АБ

MOSFET: N, 200 В, Q1: N, 235mΩ / 10V, 14 А
Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 13 А, Сопротивление открытого канала (мин) 235 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1717780

Технические параметры

Вес, г

0.54

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

13A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

110W

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

200V

Vgs - Gate-Source Voltage

5.5V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet , pdf , 685 КБ

IRFR13N20DTRPBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 49 руб.

Техническая документация