ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NVF2955T1G - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
NVF2955T1G
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
NVF2955T1G
Последняя цена
68 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1717189
Технические параметры
Вес, г
0.05
Pin Count
4
Number of Elements per Chip
1
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
Configuration
Single Dual Drain
ECCN (US)
EAR99
EU RoHS
Compliant with Exemption
Lead Shape
Gull-wing
Maximum Continuous Drain Current (A)
2.6
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
185@10V
Maximum Drain Source Voltage (V)
60
Maximum Gate Source Voltage (V)
±20
Maximum Operating Temperature (°C)
175
Maximum Power Dissipation (mW)
2300
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Mounting
Surface Mount
Packaging
Tape and Reel
Part Status
Active
PCB changed
3
Product Category
Power MOSFET
Standard Package Name
SOT
Supplier Package
SOT-223
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
492@25V
HTS
8541.29.00.95
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
14.3@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
14.3
Typical Fall Time (ns)
38
Typical Rise Time (ns)
7.6
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
65
Typical Turn-On Delay Time (ns)
11
Automotive
Yes
Military
No
Package Height
1.57
Package Length
6.5
Package Width
3.5
Tab
Tab
Maximum Gate Threshold Voltage (V)
4
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
100
Maximum IDSS (uA)
1
AEC Qualified Number
AEC-Q101
Typical Reverse Recovery Time (ns)
36
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A)
17
Typical Gate Plateau Voltage (V)
4.2
Typical Diode Forward Voltage (V)
1.1
Maximum Power Dissipation on PCB @ TC=25°C (W)
2.3
Maximum Positive Gate Source Voltage (V)
20
Maximum Diode Forward Voltage (V)
1.3
Maximum Continuous Drain Current on PCB @ TC=25°C (A)
2.6
Maximum Junction Ambient Thermal Resistance on PCB (°C/W)
150
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 175
Typical Gate to Drain Charge (nC)
5.2
Typical Gate to Source Charge (nC)
2.3
Typical Reverse Recovery Charge (nC)
0.139
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF)
50@25V
Minimum Gate Threshold Voltage (V)
2
Typical Output Capacitance (pF)
165
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 113 КБ
