ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NTGS4111PT1G - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
NTGS4111PT1G
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
NTGS4111PT1G
Последняя цена
44 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
корпус: 6-TSOP, инфо: Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 2.6 А, 2 Вт
МОП-транзистор -30V -4.7A P-Channel
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1717187
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
P-Channel
Вес, г
0.05
Ширина
1.5 mm
Высота
0.94 mm
Минимальная рабочая температура
55 C
Base Product Number
NTGS4111 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
2.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
ECCN
EAR99
FET Type
P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 10V
HTSUS
8541.21.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
750pF @ 15V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
SOT-23-6
Power Dissipation (Max)
630mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 3.7A, 10V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
6-TSOP
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250ВµA
Id - непрерывный ток утечки
4.7 A
Pd - рассеивание мощности
1.25 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
68 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
30 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
15 ns, 9 ns
Время спада
15 ns, 9 ns
Длина
3 mm
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single Quad Drain
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
6 S
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
NTGS4111P
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 P-Channel
Типичное время задержки выключения
28 ns, 38 ns
Типичное время задержки при включении
11 ns, 9 ns
Торговая марка
ON Semiconductor
Упаковка / блок
TSOP-6
Продукт
MOSFET Small Signal
Тип
MOSFET
Техническая документация
Datasheet NTGS4111PT1G , pdf
, 206 КБ
Datasheet NTGS4111PT1G , pdf
, 118 КБ
Datasheet NTGS4111PT1G , pdf
, 137 КБ
