BVSS84LT1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 21 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: SOT-23-3, инфо: Полевой транзистор, P-канальный, 50 В, 130 мА, 0.225 Вт

МОП-транзистор PFET 50V 130MA 10.0

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1717175

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

P-Channel

Вес, г

0.03

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Максимальный непрерывный ток стока

130 мА

Package Type

SOT-23

Ширина

1.4мм

Length

3.04мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

ON Semiconductor

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное напряжение сток-исток

50 В

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

2.2 nC @ 10 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Maximum Gate Source Voltage

±20 V dc

Base Product Number

BVSS84 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

130mA (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

50V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

ECCN

EAR99

FET Type

P-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.2nC @ 10V

HTSUS

8541.21.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

36pF @ 5V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power Dissipation (Max)

225mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10Ohm @ 100mA, 5V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

130 mA

Pd - рассеивание мощности

225 mW

Qg - заряд затвора

2.2 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

10 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

50 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

900 mV

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

9.7 ns

Время спада

1.7 ns

Длина

3.04мм

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BSS84L

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 P-Channel

Типичное время задержки выключения

12 ns

Типичное время задержки при включении

3.6 ns

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-23-3

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

0.9V

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

130 mA

Maximum Power Dissipation

225 mW

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

1.4мм

Height

1.01mm

Maximum Drain Source Resistance

10 Ω

Maximum Drain Source Voltage

50 В

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Квалификация

AEC-Q101

Automotive Standard

AEC-Q101

Forward Diode Voltage

2.2V

Максимальное пороговое напряжение включения

Автомобильный стандарт

AEC-Q101

Техническая документация

Datasheet , pdf , 106 КБ
Datasheet , pdf , 186 КБ
Datasheet BVSS84LT1G , pdf , 182 КБ

BVSS84LT1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 21 руб.

Техническая документация