FDG6322C, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 46 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Сборки MOSFET транзисторов

корпус: SC-70-6, инфо: Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 25 В, 0.3Вт

• Очень маленький контур корпуса
• Очень низкий уровень требований к приводу затвора, позволяющий напрямую работать в цепях 3 В (VGS (th), lt; 1,5 В)
• Стабилитрон затвор-исток для защиты от электростатических разрядов

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1716916

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Количество Выводов

6вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

SC-70

Рассеиваемая Мощность

300мВт

Полярность Транзистора

N и P Дополнение

Напряжение Истока-стока Vds

25В

Непрерывный Ток Стока

220мА

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

2.6Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

4.5В

Пороговое Напряжение Vgs

850мВ

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.03

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Максимальный непрерывный ток стока

220 мА, 410 мА

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

1.25мм

Высота

1мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

1.9 Ω, 7 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

25 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

N, P

Base Product Number

FDG6322 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

220mA, 410mA

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

ECCN

EAR99

FET Type

N and P-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.4nC @ 4.5V

HTSUS

8541.21.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

9.5pF @ 10V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4Ohm @ 220mA, 4.5V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SC-88 (SC-70-6)

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250ВµA

FET Feature

Logic Level Gate

Power - Max

300mW

Id - непрерывный ток утечки

220 mA, 410 mA

Pd - рассеивание мощности

300 mW

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

4 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

25 V

Vgs - напряжение затвор-исток

8 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

4.5 ns, 8 ns

Время спада

4.5 ns, 8 ns

Длина

2мм

Другие названия товара №

FDG6322C_NL

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

2 Channel

Конфигурация

Dual

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

0.2 S, 0.9 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

FDG6322C

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel, 1 P-Channel

Типичное время задержки выключения

4 нс, 55 нс

Типичное время задержки при включении

5 ns, 7 ns

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка / блок

SOT-323-6

Продукт

MOSFET Small Signal

Тип

FET

Тип корпуса

SOT-363 (SC-70)

Размеры

2 x 1.25 x 1мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Изолированный

Типичное время задержки включения

5 ns, 7 ns

Производитель

ON Semiconductor

Minimum Gate Threshold Voltage

0.65V

Число контактов

Категория

Малый сигнал

Типичный заряд затвора при Vgs

0,29 нКл при 4,5 В, 1,1 нКл при 5 В

Типичная входная емкость при Vds

62 пФ при -10 В, 9,5 пФ при 10 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

220mA,410mA

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

300mW

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N & P Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

25V

Vgs - Gate-Source Voltage

1.5V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet FDG6322C , pdf , 303 КБ
Datasheet FDG6322C , pdf , 318 КБ
Datasheet , pdf , 302 КБ
Datasheet , pdf , 251 КБ

FDG6322C - характеристики, поставщики

Последняя цена 46 руб.

Техническая документация