NTE4153NT1G - характеристики, поставщики

NTE4153NT1G

Последняя цена 30 руб.

NTE4153NT1G

Сравнить

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1716899

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.025

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Максимальный непрерывный ток стока

915 mA

Package Type

SC-89

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

0.95мм

Высота

0.8мм

Количество элементов на ИС

1

Length

1.7mm

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

ON Semiconductor

Максимальное сопротивление сток-исток

950 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Pin Count

3

Typical Gate Charge @ Vgs

1.82 nC @ 4.5 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

N

Maximum Gate Source Voltage

±6 V

Прямое напряжение диода

1.1V

Mounting Type

Surface Mount

Длина

1.7мм

Тип корпуса

SC-89

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Threshold Voltage

1.1V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.45V

Число контактов

3

Типичный заряд затвора при Vgs

1,82 нКл при 4,5 В

Максимальное напряжение затвор-исток

±6 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Continuous Drain Current

915 mA

Maximum Power Dissipation

300 mW

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

0.95mm

Height

0.8mm

Maximum Drain Source Resistance

950 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

N

Automotive Standard

AEC-Q101

Forward Diode Voltage

1.1V

Максимальное пороговое напряжение включения

1.1V

Автомобильный стандарт

AEC-Q101