ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MJD44H11G - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
MJD44H11G
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
MJD44H11G
Последняя цена
29 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 75, корпус: TO252, АБ
TRANSISTOR, NPN, D-PAK Transistor Type Bipolar Transistor Polarity NPN Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 80V Current Ic Continuous a Max 8A Voltage, Vce Sat Max 1V Power Dissipation 1.75W Min Hfe 40 ft, Typ 50MHz Case Style D-PAK Termination Type SMD Application Code PGP Current Ic Max 8A Current Ic hFE 4A External Depth 10.28mm External Length / Height 2.38mm Power, Ptot 20W SMD Marking MJD44H11 Temperature, Full Power Rating 25°C Transistors, No. of 1 Voltage, Vcbo 10V dc Width, External 6.73mm
Корпус TO252, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 20 Вт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Ток коллектора 8 А, Коэффициент усиления по току, min 60
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1711269
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
0.636
Base Product Number
MJD44 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
8A
Current - Collector Cutoff (Max)
1ВµA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 4A, 1V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
85MHz
HTSUS
8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Power - Max
1.75W
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 400mA, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80V
Transistor Configuration
Одинарный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
NPN
Размеры
2.38 x 6.73 x 6.22мм
Pd - рассеивание мощности
20 W
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
2.38мм
Длина
6.73мм
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
60
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
8 A
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
5 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
80 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Непрерывный коллекторный ток
8 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
75
Серия
MJD44H11
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
ON Semiconductor
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
TO-252-3
Ширина
6.22мм
Квалификация
AEC-Q101
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
85 MHz
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
1,75 Вт
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1 V
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 V
Максимальный пост. ток коллектора
8 A
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
85 MHz
Число контактов
3
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,5 В
Производитель
ON Semiconductor
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
-40
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 97 КБ
Datasheet , pdf
, 306 КБ
MJD44H11 Datasheet , pdf
, 97 КБ