MMBT2369ALT1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 17 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы

корпус: SOT-23-3 (TO-236), инфо: Биполярный транзистор, NPN, 15 В, 0.2 А, 0.225 Вт

Биполярный (BJT) транзистор NPN 15V 200mA 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1711226

Технические параметры

Вес, г

0.05

Base Product Number

MMBT2369 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

200mA

Current - Collector Cutoff (Max)

400nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 1V

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power - Max

225mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3 (TO-236)

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 10mA, 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

15V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0.5 V dc

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Operating Frequency

100 MHz

Number of Elements per Chip

Length

3.04mm

Maximum Collector Base Voltage

40 V

Transistor Configuration

Single

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

15 V

Package Type

SOT-23

Maximum Power Dissipation

225 mW

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

1.4mm

Maximum DC Collector Current

200 (Continuous) mA

Height

1.01mm

Pin Count

Dimensions

3.04 x 1.4 x 1.01mm

Maximum Emitter Base Voltage

4.5 V

Minimum DC Current Gain

20@100mA@1V|30@30mA@0.4V|40@10mA@0.35V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

15V

Pd - Power Dissipation

225mW

Максимальное напряжение коллектор-база

40 в

Конфигурация транзистора

одинарный

Тип монтажа

поверхностный монтаж

Тип транзистора

npn

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

225 мвт

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Type

NPN

Product Category

Bipolar Small Signal

Material

Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

Maximum Emitter Base Voltage (V)

4.5

Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)

1.6@10mA@100mA|1.15@3mA@30mA|0.85@1mA@10mA

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

0.2@1mA@10mA|0.25@3mA@30mA|0.5@10mA@100mA

Maximum DC Collector Current (A)

0.2

Maximum Collector Cut-Off Current (nA)

400

Maximum Power Dissipation (mW)

300

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Automotive

Standard Package Name

SOT

Supplier Package

SOT-23

Military

Mounting

Surface Mount

Package Height

0.94

Package Length

2.9

Package Width

1.3

PCB changed

Lead Shape

Gull-wing

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

15 в

Максимальный пост. ток коллектора

200 ма

Максимальное напряжение эмиттер-база

4.5 в

Максимальная рабочая частота

100 мгц

Число контактов

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

1.6 V dc

Тип корпуса

sot-23

Automotive Standard

AEC-Q101

Transistor Material

Страна происхождения

Техническая документация

Datasheet , pdf , 128 КБ
MMBT2369LT1 , pdf , 201 КБ
Datasheet , pdf , 201 КБ
Datasheet , pdf , 89 КБ

MMBT2369ALT1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 17 руб.

Техническая документация