ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BC56-16PA,115 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
BC56-16PA,115
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BC56-16PA,115
Последняя цена
40 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Сборки биполярных транзисторов
корпус: HUSON3, инфо: Биполярный транзистор NPN, 80 В, 1 А, 1.65W
Биполярные транзисторы - BJT 80 V, 1 A NPN medium power transistors
Информация
Производитель
Nexperia
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1711033
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
0.04
Brand
Nexperia
Maximum Power Dissipation
1,65 Вт
Maximum DC Collector Current
1 A
Pin Count
3
Maximum Emitter Base Voltage
5 В
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Конфигурация транзистора
Одинарный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
NPN
Размеры
2.1 x 2.1 x 0.65мм
Pd - рассеивание мощности
420 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
63 at 150 mA at 2 V
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
2 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)
100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
80 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Непрерывный коллекторный ток
1 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Nexperia
Упаковка / блок
SOT-1061-3
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
250 at 150 mA at 2 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
180 MHz
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,5 В
Количество элементов на ИС
1
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
500 mV
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 В
Максимальная рабочая частота
180 МГц
Тип корпуса
HUSON3, SOT1061
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1125 КБ