NTZD3152PT1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 31 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Сборки MOSFET транзисторов

корпус: SOT-563, инфо: Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 430 мА, 0.28Вт

МОП-транзистор с двойным каналом P, ON Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1711022

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

P-Channel

Вес, г

0.05

Максимальный непрерывный ток стока

430 мА

Максимальное рассеяние мощности

280 мВт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

1.3мм

Высота

0.6мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

2 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

20 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Base Product Number

NTZD3152 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

430mA

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

ECCN

EAR99

FET Type

2 P-Channel (Dual)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V

HTSUS

8541.21.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

175pF @ 16V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

SOT-563, SOT-666

Rds On (Max) @ Id, Vgs

900mOhm @ 430mA, 4.5V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-563

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250ВµA

FET Feature

Standard

Power - Max

250mW

Id - непрерывный ток утечки

430 mA

Pd - рассеивание мощности

280 mW

Qg - заряд затвора

1.7 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

900 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

20 V

Vgs - напряжение затвор-исток

6 V, + 6 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

12 ns

Время спада

19 ns

Длина

1.7мм

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

2 Channel

Конфигурация

Dual

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

1 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

4000

Серия

NTZD3152P

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

2 P-Channel

Типичное время задержки выключения

35 нс

Типичное время задержки при включении

10 ns

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-563-6

Продукт

MOSFET Small Signal

Тип корпуса

SOT-563

Размеры

1.7 x 1.3 x 0.6мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Изолированный

Типичное время задержки включения

10 нс

Производитель

ON Semiconductor

Maximum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Малый сигнал

Типичный заряд затвора при Vgs

1.7 nC @ 4.5 V

Типичная входная емкость при Vds

105 пФ при -16 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-6 В, +6 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

430mA

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

250mW

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

2 P Channel(Double)

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

20V

Vgs - Gate-Source Voltage

1V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet NTZD3152PT1G , pdf , 197 КБ
Datasheet NTZD3152PT1G , pdf , 185 КБ
Datasheet , pdf , 66 КБ

NTZD3152PT1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 31 руб.

Техническая документация