ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFR420TRPBF - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
IRFR420TRPBF
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRFR420TRPBF
Последняя цена
120 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
корпус: D-Pak, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 2.4 А, 42 Вт, 3.0 Ом
N-канальный МОП-транзистор, 500 В, Vishay Semiconductor
Информация
Производитель
Vishay
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1711017
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.6
Максимальный непрерывный ток стока
2.4 A
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Тип монтажа
Surface Mount
Ширина
6.22мм
Высота
2.39мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
3 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
500 V
Pin Count
3
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
6.73мм
Типичное время задержки выключения
33 ns
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.39мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
8 нс
Производитель
Vishay
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
19 nC @ 10 V
Типичная входная емкость при Vds
360 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Number of Elements per Chip
1
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
ECCN (US)
EAR99
EU RoHS
Compliant with Exemption
Maximum Continuous Drain Current (A)
2.4
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
3000@10V
Maximum Drain Source Voltage (V)
500
Maximum Gate Source Voltage (V)
±20
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Maximum Power Dissipation (mW)
2500
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Mounting
Surface Mount
Packaging
Tape and Reel
Part Status
Active
PCB changed
2
Product Category
Power MOSFET
Standard Package Name
TO-252
Supplier Package
DPAK
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
360@25V
HTS
8541.29.00.95
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
19(Max)@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
19(Max)
Typical Fall Time (ns)
16
Typical Rise Time (ns)
8.6
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
33
Typical Turn-On Delay Time (ns)
8
Automotive
No
Military
No
Package Height
2.39(Max)
Package Length
6.73(Max)
Package Width
6.22(Max)
Tab
Tab
Maximum Gate Threshold Voltage (V)
4
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
100
Maximum IDSS (uA)
25
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1255 КБ
