FDN357N, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 38 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: 3-SSOT, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 1.9 А, 0.5 Вт

МОП-транзистор SSOT-3 N-CH 30V

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1711015

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.05

Максимальный непрерывный ток стока

1,9 A

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

1.4мм

Высота

0.94мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

600 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

30 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Base Product Number

FDN357 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

1.9A (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.9nC @ 5V

HTSUS

8541.21.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

235pF @ 10V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power Dissipation (Max)

500mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 2.2A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SuperSOT-3

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

1.9 A

Pd - рассеивание мощности

500 mW

Qg - заряд затвора

5.9 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

81 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

30 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

12 ns

Время спада

12 ns

Длина

2.92мм

Другие названия товара №

FDN357N_NL

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

5 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

FDN357N

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

12 нс

Типичное время задержки при включении

5 ns

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка / блок

SSOT-3

Продукт

MOSFET Small Signal

Тип корпуса

SOT-23

Размеры

2.92 x 1.4 x 0.94мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

5 нс

Производитель

ON Semiconductor

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

4,2 нКл при 5 В

Типичная входная емкость при Vds

235 пФ при 10 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

1.9A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

500mW

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

30V

Vgs - Gate-Source Voltage

2V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet FDN357N , pdf , 352 КБ
Datasheet FDN357N , pdf , 297 КБ
Datasheet , pdf , 298 КБ

FDN357N - характеристики, поставщики

Последняя цена 38 руб.

Техническая документация