ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BC849BLT1G - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
BC849BLT1G
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BC849BLT1G
Последняя цена
11 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
корпус: SOT-23-3 (TO-236), инфо: Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.1 А, 0.25 Вт
Биполярные транзисторы - BJT 100mA 30V NPN
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1711011
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
0.03
Base Product Number
BC849 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 5V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
100MHz
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max
300mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30V
Transistor Polarity
NPN
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.6 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Number of Elements per Chip
1
Length
3.04мм
Maximum Collector Base Voltage
30 В пост. тока
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage
30 В пост. тока
Package Type
SOT-23
Maximum Power Dissipation
300 мВт
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
1.4мм
Maximum DC Collector Current
100 mA
Height
0.94 mm
Pin Count
3
Dimensions
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Maximum Emitter Base Voltage
5 В пост. тока
Minimum DC Current Gain
200
Pd - Power Dissipation
225 mW
Тип транзистора
NPN
Pd - рассеивание мощности
225 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1.01mm
Длина
2.9 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
200
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
0.1 A
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
30 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Непрерывный коллекторный ток
0.1 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
BC849BL
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
ON Semiconductor
Упаковка / блок
SOT-23-3
Ширина
1.3 mm
Квалификация
AEC-Q101
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
100 MHz
Series
BC849BL
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.6 V
EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.95
Type
NPN
Product Category
Bipolar Small Signal
Material
Si
Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage (V)
30
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
30
Maximum Emitter Base Voltage (V)
5
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 150
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)
0.9(Typ)@5mA@100mA|0.7(Typ)@0.5mA@10mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA
Maximum DC Collector Current (A)
0.1
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)
15
Maximum Power Dissipation (mW)
300
Maximum Transition Frequency (MHz)
100(Min)
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tape and Reel
Automotive
No
Standard Package Name
SOT
Supplier Package
SOT-23
Military
No
Mounting
Surface Mount
Package Height
0.94
Package Length
2.9
Package Width
1.3
PCB changed
3
Lead Shape
Gull-wing
Manufacturer
ON Semiconductor
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
0,9 В
Automotive Standard
AEC-Q101
Transistor Material
Кремний
Collector- Base Voltage VCBO
30 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
30 V
Continuous Collector Current
0.1 A
DC Collector/Base Gain Hfe Min
200
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Factory Pack Quantity
3000
Mounting Style
SMD/SMT
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
Subcategory
Transistors
Unit Weight
0.000282 oz
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.6 V
Gain Bandwidth Product FT
100 MHz
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 214 КБ
Datasheet , pdf
, 168 КБ
Datasheet BC849BLT1G , pdf
, 236 КБ
