ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BC817UPNE6327 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
BC817UPNE6327
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BC817UPNE6327
Последняя цена
27 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Сборки биполярных транзисторов
корпус: SC-74-6, инфо: Биполярный транзистор NPN/PNP, 45В, 0,5А, 0.33Вт
Биполярные транзисторы - BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR ARRAY
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1711010
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
0.05
Pd - рассеивание мощности
330 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1 mm
Длина
2.9 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
160
Конфигурация
Dual
Максимальный постоянный ток коллектора
1000 mA
Минимальная рабочая температура
65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
45 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Непрерывный коллекторный ток
500 mA
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
BC 817UPN
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка / блок
SC-74-6
Ширина
1.6 mm
Другие названия товара №
BC817UPNE6327XT SP000012398 BC817UPNE6327HTSA1
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
400
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
170 MHz
Технология
Si
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.7 V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 524 КБ