IRFP460B, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 640 руб.

Сравнить

Описание

МОП-транзистор

N-канальный полевой МОП-транзистор, серия D, высокое напряжение, Vishay Semiconductor

Информация

Производитель

Vishay

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1706608

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

TO-247AC

Ширина

5.31 mm

Высота

20.82mm

Transistor Material

Length

15.87mm

Brand

Vishay

Series

D Series

Минимальная рабочая температура

55 C

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

85 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Mounting Type

Through Hole

Id - непрерывный ток утечки

20 A

Pd - рассеивание мощности

278 W

Qg - заряд затвора

85 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

250 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

500 V

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

31 ns

Время спада

56 ns

Длина

15.87 mm

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

12 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

500

Серия

D Series

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

117 ns

Типичное время задержки при включении

24 ns

Торговая марка

Vishay / Siliconix

Упаковка / блок

TO-247AC-3

Упаковка

Bulk

Transistor Configuration

Single

Minimum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Power Dissipation

278 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

5.31mm

Height

20.82mm

Maximum Drain Source Resistance

250 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

500 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Configuration

Single

ECCN (US)

EAR99

EU RoHS

Compliant

Lead Shape

Through Hole

Maximum Continuous Drain Current (A)

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

250@10V

Maximum Drain Source Voltage (V)

500

Maximum Gate Source Voltage (V)

±20

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Maximum Power Dissipation (mW)

278000

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Mounting

Through Hole

Part Status

Active

PCB changed

Product Category

Power MOSFET

Standard Package Name

TO-247

Supplier Package

TO-247AC

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

3094@100V

HTS

8541.29.00.95

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

85@10V

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

Typical Fall Time (ns)

Typical Rise Time (ns)

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

117

Typical Turn-On Delay Time (ns)

Automotive

Military

Package Height

20.7(Max)

Package Length

15.87(Max)

Package Width

5.31(Max)

Tab

Maximum Gate Threshold Voltage (V)

Maximum Gate Source Leakage Current (nA)

100

Maximum IDSS (uA)

Typical Reverse Recovery Time (ns)

437

Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A)

Typical Gate Plateau Voltage (V)

4.2

Maximum Positive Gate Source Voltage (V)

Maximum Diode Forward Voltage (V)

1.2

Operating Junction Temperature (°C)

-55 to 150

Typical Gate to Drain Charge (nC)

Typical Gate to Source Charge (nC)

Typical Reverse Recovery Charge (nC)

5900

Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF)

13@100V

Minimum Gate Threshold Voltage (V)

Typical Output Capacitance (pF)

152

Техническая документация

Datasheet IRFP460BPBF , pdf , 188 КБ
Datasheet IRFP460BPBF , pdf , 186 КБ
Datasheet IRFP460BPBF , pdf , 201 КБ

IRFP460B - характеристики, поставщики

Последняя цена 640 руб.

Техническая документация