IRLZ14, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 180 руб.

Сравнить

Описание

МОП-транзистор

• Динамическое dV
• Рейтинг dt
• Рабочая температура 175 ° C
• Быстрое переключение
• Простота параллельного подключения
• Требуется простота привода

Информация

Производитель

Vishay

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1706485

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Максимальный непрерывный ток стока

10 A

Максимальное рассеяние мощности

43 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.7мм

Высота

9.01мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

200 мОм

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Pin Count

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Id - непрерывный ток утечки

10 A

Pd - рассеивание мощности

43 W

Qg - заряд затвора

8.4 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

200 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Vgs - напряжение затвор-исток

5 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

110 ns

Время спада

26 ns

Длина

10.41мм

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

3.5 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

Серия

IRLZ

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

17 нс

Типичное время задержки при включении

9.3 ns

Торговая марка

Vishay / Siliconix

Упаковка / блок

TO-220AB-3

Упаковка

Tube

Тип корпуса

TO-220AB

Размеры

10.41 x 4.7 x 9.01мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

9,3 нс

Производитель

Vishay

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

8,4 нКл при 5 В

Типичная входная емкость при Vds

400 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-10 V, +10 V

Number of Elements per Chip

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Configuration

Single

ECCN (US)

EAR99

EU RoHS

Compliant

Lead Shape

Through Hole

Maximum Continuous Drain Current (A)

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

200@5V

Maximum Drain Source Voltage (V)

Maximum Gate Source Voltage (V)

±10

Maximum Operating Temperature (°C)

175

Maximum Power Dissipation (mW)

43000

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Mounting

Through Hole

Part Status

Active

PCB changed

Product Category

Power MOSFET

Standard Package Name

TO-220

Supplier Package

TO-220AB

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

400@25V

HTS

8541.29.00.95

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

8.4(Max)@5V

Typical Fall Time (ns)

Typical Rise Time (ns)

110

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

9.3

Automotive

Military

Package Height

9.01(Max)

Package Length

10.41(Max)

Package Width

4.7(Max)

Tab

Maximum Gate Threshold Voltage (V)

Typical Gate to Drain Charge (nC)

6(Max)

Typical Gate to Source Charge (nC)

3.5(Max)

Typical Reverse Recovery Charge (nC)

340

Typical Output Capacitance (pF)

170

Техническая документация

Datasheet IRLZ14PBF , pdf , 1161 КБ
Datasheet IRLZ14PBF , pdf , 1038 КБ

IRLZ14 - характеристики, поставщики

Последняя цена 180 руб.

Техническая документация